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NTMTSC4D2N10GTXG
1个N沟道 耐压:100V 电流:178A
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- 描述
- 特性：宽安全工作区，适用于线性模式操作。 低热阻RθJC，以最小化传导损耗。 高脉冲单雪崩电流能力，增强耐用性。 小尺寸封装（8x8 mm），顶部金属散热。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：48 V热插拔系统。 负载开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMTSC4D2N10GTXG
- 商品编号
- C3290176
- 商品封装
- TDFN-8-W(8.3x8.4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 178A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 267W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@450uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 159nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.05nF |
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