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STP80N240K6
1个N沟道 耐压:800V 电流:16A
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- 描述
- 采用 TO-220 封装的 N 沟道 800 V、197 mOhm（典型值）、16 A MDmesh K6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP80N240K6
- 商品编号
- C3290209
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@100uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 139pF@0到640V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用意法半导体（STMicroelectronics）独特的STripFET工艺开发，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适用于电信和计算机应用的先进高效隔离式DC-DC转换器中的主开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 标准电平栅极驱动
应用领域
- 开关应用