IRFF433
N沟道,电流:2.25A,耐压:450V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRFF433
- 商品编号
- C3290190
- 商品封装
- TO-205AF(TO-39)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 2.25A和2.75A,450V和500V
- rDS(ON) = 1.5Ω和2.0Ω
- 单脉冲雪崩能量额定值
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
应用领域
- 开关应用