RFH75N05
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AOD3N60和AOU3N60采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件具备低 RDS(on)、Ciss 和 Crss，并保证有雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。