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STP80NF55
N沟道 耐压:55V 电流:80A
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- 描述
- 这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新成果。由此制成的晶体管展现出极高的封装密度，可实现低导通电阻、具备稳健的雪崩特性，且光刻对准步骤要求较低，因此具有出色的制造可重复性。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP80NF55
- 商品编号
- C3290195
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 155nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.74nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 830pF |
商品概述
NCE4606A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，以及其他多种应用。
商品特性
- N沟道
- VDS = 30V，ID = 6.5A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 24mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 37mΩ
- P沟道
- VDS = -30V，ID = -7A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 30mΩ
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 50mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装