RFL1N15
1个N沟道 耐压:150V 电流:1A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFL1N15
- 商品编号
- C3290183
- 商品封装
- TO-205AF(TO-39)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
ARF1500是一款射频功率晶体管，专为频率高达40 MHz的高功率科学、商业、医疗和工业射频功率发生器及放大器应用而设计。
商品特性
- 1A、120V 和 150V
- rDS(ON) = 1.9Ω
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 多数载流子器件
应用领域
- 科学领域射频功率发生器及放大器应用
- 商业领域射频功率发生器及放大器应用
- 医疗领域射频功率发生器及放大器应用
- 工业领域射频功率发生器及放大器应用