温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPL60R360P6SATMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:7.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的情况下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL60R360P6SATMA1
- 商品编号
- C3290178
- 商品封装
- ThinPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.01nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 47pF |
商品概述
该器件是一款基于MDmesh M5创新垂直工艺技术，并结合知名PowerMESH水平布局的N沟道功率MOSFET。由此生产的产品具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。
商品特性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层,无卤模塑料
- 根据 JEDEC(J - STD20 和 JESD22)标准适用于工业级应用
应用领域
- 功率因数校正(PFC)级、硬开关脉宽调制(PWM)级和谐振开关 PWM 级,例如用于个人电脑电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)。