MSCC60VRM45TAPG
超级结MOSFET,电流:41A,耐压:600V
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MSCC60VRM45TAPG
- 商品编号
- C3290167
- 商品封装
- SP6
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.2nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
-超结MOSFET-超低导通电阻RDSon-低米勒电容-超低栅极电荷-雪崩能量额定-坚固耐用-开尔文发射极,易于驱动-极低杂散电感-对称设计-用于电源连接的引线框架-内置热敏电阻,用于温度监测-高度集成
应用领域
-电源