商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 高性能功率射频封装
- 极高的击穿电压,增强耐用性
- 低热阻
- 采用氮化物钝化芯片,提高可靠性
- 符合RoHS标准
应用领域
- 科学领域射频功率发生器及放大器应用
- 商业领域射频功率发生器及放大器应用
- 医疗领域射频功率发生器及放大器应用
- 工业领域射频功率发生器及放大器应用