APT6029SLLG
1个N沟道 耐压:600V 电流:21A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT6029SLLG
- 商品编号
- C3293013
- 商品封装
- TO-268
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.615nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 420pF |
商品概述
Power MOS 7° 是新一代低损耗、高压 N 沟道增强型功率 MOSFET。Power MOS 7° 通过显著降低 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7° 将较低的导通损耗和开关损耗与美高森美（Microsemi）专利金属栅极结构固有的极快开关速度相结合。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更高的功率耗散
- 更低的米勒电容
- 更易于驱动
- 更低的栅极电荷 Qg
- TO - 247 或表面贴装 D³PAK 封装