APT6038SLLG
1个N沟道 耐压:600V 电流:17A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT6038SLLG
- 商品编号
- C3293016
- 商品封装
- TO-268
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 265W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDZ197PZ采用先进的1.5 V PowerTrench工艺设计，并结合了先进的“细间距”晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）工艺，可最大限度地减少PCB空间和导通电阻rDS(on)。这种先进的WLCSP MOSFET在封装技术上取得了突破，使该器件兼具出色的热传递特性、超薄封装、低栅极电荷和低导通电阻rDS(on)等优势。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更低的米勒电容
- 更低的栅极电荷Qg
- 更高的功率耗散
- 更易于驱动
- TO - 247或表面贴装D3PAK封装
应用领域
- 电池管理-负载开关-电池保护