APT6030BVRG
1个N沟道 耐压:600V 电流:21A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT6030BVRG
- 商品编号
- C3293019
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 355W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 215nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 0.4mm超薄封装，适用于轻薄应用
- 封装占位面积0.48mm²，比SOT23小16倍
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 负载开关
- 电源管理功能
- 便携式电源适配器