商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.153kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
适用于2000 MHz至2200 MHz频率范围基站应用的75 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- 低成本无凸缘射频封装。
- 低阈值电压(Vth)温度系数。
- 低热阻。
- 优化的安全工作区(SOA),具备出色的耐用性。
应用领域
- 科学领域射频功率放大器应用
- 商业领域射频功率放大器应用
- 医疗领域射频功率放大器应用
- 工业领域射频功率放大器应用