商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.153kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
适用于2000 MHz至2200 MHz频率范围基站应用的75 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- 平均输出功率 = 17 W
- 增益 = 18.7 dB
- 效率 = 30.5%
- 三阶互调失真（IMD3） = -37.5 dBc
- 邻道功率比（ACPR） = -41.5 dBc
- 易于进行功率控制
- 集成静电放电（ESD）保护
- 出色的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带运行设计（2000 MHz至2200 MHz）
- 内部匹配，使用方便
- 符合关于限制有害物质（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 用于2000 MHz至2200 MHz频率范围的W-CDMA基站和多载波应用的射频功率放大器