温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
XP162A12A6PR-G
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- XP162A12A6PR 是一款 P 沟道功率 MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。由于能够实现高速开关，因此可以高效地设置该 IC，从而节省能源。
- 品牌名称
- TOREX(特瑞仕)
- 商品型号
- XP162A12A6PR-G
- 商品编号
- C3290149
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚、超小型DFN1006 - 3（SOT883）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 低导通电阻:在Vgs = -4.5V时,Rds(on)=0.17 Ω
- 在Vgs = -2.5V时,Rds(on)=0.3Ω
- 超高速开关
- 驱动电压:-2.5V
- 内置栅极保护二极管
- P沟道功率MOSFET
- DMOS结构
- 封装:SOT - 89
应用领域
-笔记本电脑-手机和便携式电话-车载电源-锂离子电池系统
相似推荐
其他推荐