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CPC3730CTR
1个N沟道 耐压:350V 电流:140mA
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- 描述
- CPC3730C是一款N沟道耗尽型场效应晶体管（FET），采用专有的第三代垂直DMOS工艺。第三代工艺在经济高效的硅栅工艺中实现了高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺为高功率应用提供了一种具有高输入阻抗的坚固器件
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- CPC3730CTR
- 商品编号
- C3290148
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
CPC3730C是一款N沟道耗尽型场效应晶体管(FET),采用专有的第三代垂直DMOS工艺。第三代工艺在经济的硅栅工艺中实现了高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺为高输入阻抗的高功率应用提供了一种坚固耐用的器件。
该器件在需要低漏源电阻的功率应用中表现出色,尤其适用于汽车点火模块等寒冷环境。
CPC3730C在25°C时的最大导通电阻低至30欧姆。
CPC3730C的最小击穿电压为350V,采用SOT - 89封装。与所有MOS器件一样,FET结构可防止热失控和热致二次击穿。
商品特性
- 耗尽型器件在低温下具有低RDS(ON)
- 25°C时最大导通电阻低至30欧姆
- 高输入阻抗
- 高击穿电压350V
- 低VGS(off)电压 -1.6至 -3.9V
- 小封装尺寸SOT - 89
应用领域
-点火模块-常开开关-固态继电器-转换器-电信-电源