温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN3190LDW-13
2个N沟道 耐压:30V 电流:1A
- 描述
- 此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3190LDW-13
- 商品编号
- C3290124
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 335mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 87pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个10000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交5单