商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 135V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V | |
| 输入电容(Ciss) | 582pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.2pF | |
| 输出电容(Coss) | 212pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 易于进行功率控制
- 集成ESD保护
- 出色的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计(HF至600 MHz)
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
-工业、科学和医疗应用-广播发射机应用