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DMP56D0UV-7
2个P沟道 耐压:50V 电流:160mA
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP56D0UV-7
- 商品编号
- C3290141
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 580pC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 50.54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
一款适用于 915 MHz 工业应用的 600 W LDMOS 功率晶体管。 BLF0910H9LS600 专为高功率连续波应用而设计，采用高性能陶瓷封装。
商品特性
- 低导通电阻
- 栅极具备ESD保护
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
- 电池供电系统和固态继电器