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DMTH10H2M5STLWQ-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:215A
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- 描述
- 该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，适用于电机控制、DC-DC转换器和电源管理。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H2M5STLWQ-13
- 商品编号
- C3290119
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 215A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.68mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 124.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.43nF |
商品概述
一款适用于电子应用的500 W LDMOS功率晶体管，工作频率范围为900 MHz至930 MHz。 BLA8H0910L - 500和BLA8H0910LS - 500专为高功率连续波应用而设计，并采用高性能陶瓷封装。 在AB类应用电路中，VDS = 50 V、IDq = 90 mA时的射频性能。
商品特性
- 高效率
- 易于功率控制
- 出色的耐用性
- 集成ESD保护
- 专为宽带操作设计（900 MHz至930 MHz）
- 内部输入匹配
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 900 MHz至930 MHz频率范围内的电子应用