TSM3446CX6 RFG
1个N沟道 耐压:20V 电流:5.3A
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- 商品型号
- TSM3446CX6 RFG
- 商品编号
- C3290101
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些P沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理、便携式电子设备以及其他需要在超小外形表面贴装封装中实现快速高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路。
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
应用领域
- 负载开关
- 功率放大器开关