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2N7002W实物图
  • 2N7002W商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2N7002W

N沟道,电流:115mA,耐压:60V

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商品型号
2N7002W
商品编号
C3290105
商品封装
SOT-323​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)115mA
导通电阻(RDS(on))7.5Ω@5V
耗散功率(Pd)200mW
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)50pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)25pF

商品概述

这些N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造,该工艺经过特别优化,可最大限度降低导通电阻,同时保持低栅极电荷,以实现卓越的开关性能。 这些器件非常适合所有对尺寸要求较小的应用,尤其适用于电池供电系统中的低成本DC/DC转换。

商品特性

  • 快速开关时间
  • 符合 RoHS(无豁免)、REACH、冲突矿物法规要求
  • 快速开关时间
  • 符合 RoHS(无豁免)、REACH、冲突矿物法规要求

应用领域

  • 信号处理
  • 驱动器
  • 逻辑电平转换器
  • 信号处理
  • 驱动级
  • 逻辑电平转换器

数据手册PDF