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2N7002W-TP
N沟道,电流:115mA,耐压:60V
- 描述
- 特性：沟槽中压MOSFET技术。 低栅极阈值电压。 湿度敏感度等级1。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅表面处理/符合RoHS标准
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- 2N7002W-TP
- 商品编号
- C3290108
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0425克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 25.2pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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