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MMBFJ211
1个N沟道 耐压:25V 电流:20mA
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- 描述
- 该设备专为高频/甚高频混频器/放大器以及制程50不适用的应用而设计。为敏感接收器提供足够的增益和低噪声。采用制程90。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMBFJ211
- 商品编号
- C3290016
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 20mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |