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SI2319DDS-T1-GE3
1个P沟道 耐压:40V 电流:3.6A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen II p- 沟道功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。 符合 RoHS 标准，无卤素。应用：电池开关。 电机驱动控制
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2319DDS-T1-GE3
- 商品编号
- C3290067
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
优惠活动
购买数量
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起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
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