USB10H
双P沟道,电流:-1.9A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- USB10H
- 商品编号
- C3290080
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 441pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 127pF |
商品概述
采用SOT23-6塑料封装的N沟道双MOSFET，具备ESD保护功能。
商品特性
- 采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(on)和低栅极电荷。
- 漏源极电压VDSS = 20V，栅源极电压VGSS = ±12V，漏极电流ID = 7A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON)典型值为16mΩ
- 当栅源电压VGS = 2.5V时，导通电阻RDS(ON)典型值为19mΩ
应用领域
- 用作负载开关或PWM应用。