SI3948DV
双N通道,电流:2.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI3948DV
- 商品编号
- C3290081
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
这款指定为1.8V的N沟道MOSFET采用先进的低压PowerTrench工艺。它与一个与MOSFET隔离的低正向压降肖特基二极管相结合，为电池电源管理和DC/DC转换器应用提供了紧凑的电源解决方案。
商品特性
- 2.5 A,30 V。VGS = 10 V时,RDS(ON) = 0.095 Ω
- VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 0.145 Ω
- 开关速度极快。
- 低栅极电荷(典型值2.1 nC)。
- SuperSOTTM-6封装:占用空间小(比标准SO-8小72%);厚度低(1 mm厚)。
应用领域
- 电池管理/充电器应用-DC/DC转换