SI3441DV
P沟道,电流:-3.5A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI3441DV
- 商品编号
- C3290082
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 779pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 121pF |
商品概述
这些P沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用安森美半导体专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门设计用于最小化导通状态电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如笔记本电脑电源管理、便携式电子设备以及其他电池供电电路，这些应用需要在非常小尺寸的表面贴装封装中实现快速高端开关和低在线功率损耗。
商品特性
- -3.5 A,-20 V。VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) = 80 mΩ
- VGS = -2.5 V 时,RDS(ON) = 110 mΩ
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护