FDC6308P
双P沟道2.5V指定功率沟槽MOSFET,电流:1.7A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC6308P
- 商品编号
- C3290089
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 265pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 1.7 A,-18 V。在 VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) = 0.18 Ω
- 在 VGS = -2.5 V 时,RDS(ON) = 0.30 Ω
- 扩展的 VGSS 范围(±12V),适用于电池应用
- 低栅极电荷(典型值 3nC)
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
- SuperSOT - 6 封装:占位面积小(比标准 SO - 8 小 72%);厚度薄(1mm)
应用领域
-负载开关-电池保护-电源管理