温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDC86244
1个N沟道 耐压:150V 电流:2.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款N沟道MOSFET采用先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺集成了屏蔽栅技术。此工艺在导通电阻rDS(on)、开关性能和耐用性方面均进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC86244
- 商品编号
- C3290085
- 商品封装
- SSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 144mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 345pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单