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SI2374DS-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:5.9A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET，100% Rg测试。 RoHS合规，无卤素。应用：负载开关。 电源管理
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2374DS-T1-GE3
- 商品编号
- C3290058
- 商品封装
- SOT-23-3(TO-236-3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 735pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
RM2308采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
-负载开关-电源管理
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