温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQ2389ES-T1_BE3
1个P沟道 耐压:40V 电流:4.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。AEC-Q101合格。100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ2389ES-T1_BE3
- 商品编号
- C3290060
- 商品封装
- SOT-23-3(TO-236-3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 188mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 负载开关-电源管理
相似推荐
其他推荐