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SI2387DS-T1-GE3
P沟道 MOSFET,电流:3.0A,耐压:80V
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET。 100 % Rg and UIS tested。应用：Load switch。 Circuit protection
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2387DS-T1-GE3
- 商品编号
- C3290063
- 商品封装
- SOT-23-3(TO-236-3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 242mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 395pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品特性
- TrenchFET第四代P沟道功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 负载开关
- 电路保护
- 电机驱动控制
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