温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NDS352AP
1个P沟道 耐压:30V 电流:0.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这些P沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用安森美半导体（onsemi）专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理、便携式电子设备以及其他电池供电电路，这些应用需要在超小外形的表面贴装封装中实现快速高端开关和低在线功率损耗
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS352AP
- 商品编号
- C3290037
- 商品封装
- SuperSOT-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 135pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交5单