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XP152A12C0MR-G
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.7A
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- 描述
- XP152A12C0MR-G 是一款 P 沟道功率 MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。由于能够实现高速开关，因此可以高效设置该 IC，从而节省能源。为了抗静电，该器件内置了栅极保护二极管
- 品牌名称
- TOREX(特瑞仕)
- 商品型号
- XP152A12C0MR-G
- 商品编号
- C3289988
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@1000uA | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
XP152A12C0MR-G是一款P沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。 由于能够进行高速开关，因此可以高效设置IC，从而节省能源。 为了抗静电，内置了栅极保护二极管。 小型SOT - 23封装使高密度安装成为可能。
商品特性
- 低导通电阻：在Vgs = -4.5V时，Rds(on) = 0.3Ω
- 在Vgs = -2.5V时，Rds(on) = 0.5Ω
- 超高速开关
- 内置栅极保护二极管
- 驱动电压：-2.5V
- P沟道功率MOSFET
- DMOS结构
- 小型封装：SOT - 23
- 环保：符合欧盟RoHS标准，无铅
应用领域
- 笔记本电脑
- 手机和便携式电话
- 车载电源
- 锂离子电池系统