温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN3731U-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:0.9A
- 描述
- 这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3731U-7
- 商品编号
- C3290017
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 460mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 580mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
RM5N60S4采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V，漏极电流（ID） = 5 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 55 mΩ（典型值：46 mΩ）
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 80 mΩ（典型值：60 mΩ）
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源