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NTR1P02LT1实物图
  • NTR1P02LT1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTR1P02LT1

P沟道MOSFET,电流:-1.3A,耐压:-20V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTR1P02LT1
商品编号
C3290055
商品封装
SOT-23-3(TO-236-3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.034克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.3A
导通电阻(RDS(on))220mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)400mW
阈值电压(Vgs(th))1.25V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)3.1nC@4.5V
输入电容(Ciss)225pF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)130pF

商品特性

  • 低 RDS(ON) 可提高效率并延长电池寿命
  • 微型SOT - 23表面贴装封装节省电路板空间
  • NVTR前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 提供无铅和无卤封装

应用领域

  • 直流 - 直流转换器
  • 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话)的电源管理

数据手册PDF