NTR1P02LT1
P沟道MOSFET,电流:-1.3A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR1P02LT1
- 商品编号
- C3290055
- 商品封装
- SOT-23-3(TO-236-3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品特性
- 低 RDS(ON) 可提高效率并延长电池寿命
- 微型SOT - 23表面贴装封装节省电路板空间
- NVTR前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 提供无铅和无卤封装
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话)的电源管理
