NDS336P
P沟道,电流:1.2A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS336P
- 商品编号
- C3290024
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 在 VGS = - 4.5 V 时,RDS(ON) = 0.2 Ω
- -1.2 A、-20 V,在 VGS = -2.7 V 时,RDS(ON) = 0.27 Ω
- 极低的栅极驱动要求,允许在 3V 电路中直接工作。VGS(th) < 1.0V
- 采用铜引线框架的专有封装设计,具备出色的热性能和电气性能。
- 高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力。
- 紧凑的行业标准 SOT-23 表面封装。
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式电子设备
- 其他电池供电电路