NDS336P
P沟道,电流:1.2A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS336P
- 商品编号
- C3290024
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 国际标准封装
- 雪崩额定
- 扩展正向偏置安全工作区（FBSOA）
- 快速本征二极管
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 高端开关
- 推挽放大器
- 直流斩波器
- 自动测试设备
- 电流调节器
- 电池充电器应用