NDS356AP-NB8L005A
P沟道,电流:1.1A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS356AP-NB8L005A
- 商品编号
- C3290028
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
RM5A1P30S6采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -5.1A
- VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 46 mΩ
- VGS = -10V时，RDS(ON) < 32 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理