NDS356P
P沟道,电流:-1.1A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS356P
- 商品编号
- C3290035
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 150V、1.4A，VGS = 10V时RDS(ON) = 480mΩ
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
应用领域
- 网络
- 负载开关
- LED应用