NDS356P
P沟道,电流:-1.1A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS356P
- 商品编号
- C3290035
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- -1.1 A,-20V。在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 0.3 Ω。
- 采用铜引线框架的专有封装设计,具备卓越的热性能和电气性能。
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力。
- 紧凑的行业标准SOT - 23表面贴装封装。
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式电子设备
- 其他电池供电电路