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SI2305BHE3-TP
P沟道MOSFET,电流:-4.2A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- SI2305BHE3-TP
- 商品编号
- C3289997
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 109pF |
商品概述
1002采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装，散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源