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TSM2N7002AKCX RFG

N沟道,电流:300mA,耐压:60V

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM2N7002AKCX RFG
商品编号: C3289979
商品封装: SOT-23
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品特性

低RDS(ON),以最小化传导损耗
逻辑电平
低栅极电荷,实现快速功率开关
静电放电(ESD)防护2KV(人体模型HBM)
符合RoHS标准
符合IEC 61249-2-21标准的无卤要求

应用领域

-低端负载开关-电平转换电路-通用开关电路

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	300mA
	导通电阻(RDS(on))	4Ω@4.5V
	耗散功率(Pd)	357mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	1.65nC@10V
	输入电容(Ciss)	20pF
	反向传输电容(Crss)	1pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道