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SI3099-TP
1个N沟道 耐压:30V 电流:1.1A
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- 描述
- 特性：沟槽低压MOSFET技术。 ESD保护高达2.5KV（HBM）。 湿度敏感度等级1。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅表面处理/符合RoHS标准
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- SI3099-TP
- 商品编号
- C3289985
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 39pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 低阈值电压
- 快速开关速度
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤，“绿色”器件
- 无铅涂层/符合RoHS标准