HAT2043R-EL-E
N通道,电流:8A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- HAT2043R-EL-E
- 商品编号
- C3289853
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.17nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过专门优化，可在保持出色开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。 该器件非常适合需要低线路功耗和快速开关的低压及电池供电应用。
商品特性
- 9 A，30 V。在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 0.018 Ω
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 0.028 Ω
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 具备高功率和高电流处理能力
应用领域
- 电池开关-负载开关-电机控制
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