MCQ05N15-TP
N沟道,电流:5A,耐压:150V
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCQ05N15-TP
- 商品编号
- C3289858
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.102nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用仙童半导体先进的PowerTrench工艺,具有坚固耐用的栅极结构。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值(4.5V - 20V)的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 湿度敏感度等级 1
- 无卤“绿色”器件
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无铅涂层/符合 RoHS 标准(后缀“P”表示符合 RoHS 标准)
应用领域
-电源管理-负载开关-电池保护
