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MCQ05N15-TP
N沟道,电流:5A,耐压:150V
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCQ05N15-TP
- 商品编号
- C3289858
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.102nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用仙童半导体先进的PowerTrench工艺，具有坚固耐用的栅极结构。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V - 20V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = - 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 240 mΩ
-
- 3.0 A， - 60 V，栅源电压（VGS） = - 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 150 mΩ
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 高功率和电流处理能力
- SO - 8封装
应用领域
-电源管理-负载开关-电池保护