ALD910027SALI
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10.6V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 23000MΩ@2.3V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
采用SOT23-6塑料封装的N沟道双MOSFET。
商品特性
- 使用简单且经济
- 工厂精确微调
- 自动调节和平衡漏电流
- 有效实现超级电容器的电荷平衡
- 单个 IC 封装可平衡多达四个 supercaps
- 可平衡 2 节、3 节、4 节串联的 supercaps
- 可扩展至更大的超级电容器组和阵列
- 几乎无额外漏电流
- 在额定电压以下 0.3V 时无漏电流
- 可平衡串联和/或并联连接的 supercaps
- 漏电流是单体电压的指数函数
- 工作电流范围从 < 0.3 nA 到 >1000 μA
- 始终处于工作状态,响应时间快
- 最小化漏电流和功耗
应用领域
-串联超级电容器单体的漏电流平衡-能量收集-带超级电容器输出的长期备用电池-选定电压下的零功耗分压器-匹配的电流镜和电流源-零功耗模式下的最大电压限制器-规模化的超级电容器组和阵列