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TSM650N15CS RLG

1个N沟道耐压:150V 电流:9A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM650N15CS RLG
商品编号: C3289851
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

应用领域

计算机-办公设备-通信设备-测试与测量设备-视听设备-家用电子电器-机床-个人电子设备-工业机器人-运输设备(汽车、火车、轮船等)-交通控制系统-防灾系统-防盗系统-安全设备-非专门用于生命维持的医疗设备

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	150V
	连续漏极电流(Id)	9A
	导通电阻(RDS(on))	65mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	12.5W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	37nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.783nF
	反向传输电容(Crss)	18pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道