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AO4496
1个N沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- AO4496采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换器应用。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4496
- 商品编号
- C3289831
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2074克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET H6技术开发的P沟道功率MOSFET。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现极低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用