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FDS3682_NL

1个N沟道 耐压:100V 电流:6A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDS3682_NL
商品编号
C3289833
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.215克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)1.3nF
反向传输电容(Crss)45pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)190pF

商品特性

  • rDS(ON)=30 mΩ(典型值),VGS = 10 V,ID = 6 A
  • Qg(tot)=19 nC(典型值),VGS = 10 V
  • 低米勒电荷
  • 低QRR体二极管
  • 高频下优化效率
  • 具有UIS能力(单脉冲和重复脉冲)

应用领域

  • DC/DC转换器和离线式UPS
  • 分布式电源架构和电压调节器模块(VRMs)
  • 24V和48V系统的初级开关
  • 高压同步整流器
  • 直接喷射/柴油喷射系统
  • 42V汽车负载控制
  • 电子气门机构系统

数据手册PDF