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FDT86244
1个N沟道 耐压:150V 电流:2.8A
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- 描述
- 此N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造,该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻、开关性能和耐用性进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDT86244
- 商品编号
- C3289938
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 128mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 395pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
第三代功率 MOSFET 为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 SOT - 223 封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计允许像其他 SOT 或 SOIC 封装一样轻松进行自动拾放，并且由于散热片的散热片增大，还具有改善散热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中，功率耗散可能超过 1.25 W。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 2.8 A时,最大导通电阻RDS(on) = 128 mΩ
- VGS = 6 V、ID = 2.4 A时,最大导通电阻RDS(on) = 178 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻RDS(on)
- 广泛使用的表面贴装封装,具备高功率和大电流处理能力
- 开关速度快
- 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIL)测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-负载开关-主开关