VS-FC420SA10
单通道MOSFET,电流:420A,耐压:100V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:ID > 420 A, TC = 25 °C。 TrenchFET功率MOSFET。 低输入电容(Ciss)。 RoHS。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷。 雪崩能量额定值。 UL认证文件E78996。 材料分类:有关合规性定义,请参阅相关文档
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- VS-FC420SA10
- 商品编号
- C3289948
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.654052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 435A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 652W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@750uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 375nC | |
| 输入电容(Ciss) | 17.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 900pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低阈值
- 低栅极驱动
应用领域
- 直流-直流转换器
- 音频输出级
- 继电器和螺线管驱动
- 电机控制
相似推荐
其他推荐
- SI2303CDS-T1-BE3
- SQ2301ES-T1_BE3
- SQ2364EES-T1_GE3
- SI2374DS-T1-GE3
- SQ2389ES-T1_BE3
- SI2387DS-T1-GE3
- SI2305CDS-T1-GE3
- SI2319DDS-T1-GE3
- SI2333CDS-T1-GE3
- SI2336DS-T1-BE3
- SIHA6N65E-E3
- SIHA11N80AE-GE3
- SIHF7N60E-E3
- SIHA15N80AEF-GE3
- SIHA15N80AE-GE3
- IRLI540GPBF
- IRL640PBF-BE3
- IRF9620PBF-BE3
- IRF9530PBF-BE3
- SIHP052N60EF-GE3
- SIHP12N60E-BE3
